Superkäytännölliset vinkit: elektronisten komponenttien tarkastusvaatimukset ja -menetelmät----puolijohdelaitteet (2-Mikä on triodi 2)

https://www.kaichuanpower.com/

Kenttäefektiputki: MOS-kenttäefektiputki on metallioksidi-puolijohdekenttäefektiputki, englanninkielinen lyhenne on MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor), joka on eristetty porttityyppi.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT ottaa eri arvoja, inversiokerroksen johtavuus muuttuu ja saman VDS:n alla syntyy erilaisia ​​IDS:itä, mikä toteuttaa hilalähdejännitteen VGS ohjauksen lähde-nieluvirran IDS:llä.
Kenttäteholuokitus: Kenttätransistoreihin kuuluvat pääasiassa liitoskenttätransistorit (JFET) ja eristetyt hilakenttätransistorit (IGFET). Eristetyn hilan kenttätransistorin substraatti (B) on kytketty lähteeseen (S). Sen kolme napaa ovat portti (G), viemäri (D) ja lähde (S). Transistorit on jaettu NPN- ja PNP-transistoreihin, ja niiden kolme napaa ovat kanta (b), kollektori (c) ja emitteri (e). Kenttätransistorin G-, D- ja S-navoilla on samanlaiset toiminnot kuin transistorin b-, c- ja e-navoilla. Ero eristettyjen hilatyyppisten efektitransistorien ja liitostyyppisten kenttätransistorien välillä on se, että niiden johtamismekanismit ja virransäätöperiaatteet ovat olennaisesti erilaiset. Liitostyyppiset putket käyttävät tyhjennysalueen leveyden muutosta johtavan kanavan leveyden muuttamiseksi nieluvirran ohjaamiseksi. Eristysportin kenttätehotransistorit käyttävät sähkökenttävaikutusta puolijohteen pinnalla ja sähköisesti indusoidun varauksen määrää muuttamaan johtavaa kanavaa virran ohjaamiseksi. Ominaisuuksiensa ero tarkoittaa, että liitoskenttätransistoreja käytetään usein tehovahvistimien tuloasteessa (esivaiheessa), kun taas eristettyjä hila-kenttätransistoreja käytetään tehovahvistimien loppuvaiheessa (lähtöasteessa). Kenttätransistorin toimintaperiaate on sama kuin triodin, paitsi että toinen niistä on jänniteohjattu komponentti ja toinen virtaohjattu komponentti. Kenttätransistorilla on vain yksi PN-liitos, kuten kuvassa 1-1